MOCVD是什么？MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition)金属有机化合物化学气相沉淀，MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料的。关于MOCVD是什么以及MOCVD是什么，mocvd全称，moc是啥，MOCVd，mocvd设备是什么意思等问题，子健常识将为你整理以下的日常知识：

MOCVD是什么

　　MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition)金属有机化合物化学气相沉淀，MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

　　通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。

Mocvd是什么意思

　　MOCVD

　　MOCVDMOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic

　　Chemical

　　Vapor

　　Deposition)的英文缩写。

　　MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。